- 英文名：Simon M·Sze
- 职业：教学科研工作者
- 国籍：美国
- 出生日期：1936年03月21日
- 出生地区：中国江苏省南京市
- 毕业院校：斯坦福大学
- 介绍：施敏（1936年3月21日-2023年11月6日），出生于中国南京，是享誉国际的微电子科学技术与半导体器件物理专家，拥有台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士以及中国工程院外籍院士等多重崇高学术身份。生前他长期担任台湾交通大学（后更名为阳明交通大学）电子工程学系毫微米元件实验室的教授。施敏的学术生涯始于1957年自台湾大学毕业后赴美深造；他于1960年获得华盛顿大学硕士学位，随后于1963年取得斯坦福大学电机工程博士学位。毕业后，他即进入著名的贝尔实验室工作，并在此持续从事前沿研究直至1989年退休。在其卓越的研究生涯中，施敏于1967年发明了非挥发性记忆体，首次系统性地阐述了闪存存储数据的基本原理与技术，这项开创性工作对全球半导体产业产生了深远影响。1968年，他曾短暂回到台湾交通大学，担任董浩云讲座教授一年。次年，即1969年，他编著的经典学术著作《半导体元件物理学》第一版正式出版，该书长期以来被视为该领域的权威教材。1990年自贝尔实验室退休后，他全心投入教育事业，于台湾阳明交通大学电子工程系继续任教。凭借其杰出的学术成就，施敏于1994年当选为台湾中央研究院院士，1995年当选为美国国家工程院院士，并于1998年当选为中国工程院外籍院士。2004年，他担任了台湾奈米元件实验室的资深顾问。2014年，他受聘为哈尔滨工业大学荣誉教授。2021年9月，其毕生贡献获得高度认可，荣获未来科学大奖数学与计算机科学奖。2023年11月6日，施敏教授与世长辞，享年87岁。纵观其一生，施敏教授始终专注于微电子科学技术与半导体器件的研究，在该领域做出了诸多基础性及前瞻性的重大贡献，其学术遗产将持续激励后世学者。
